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永昌电力设备

内部

时间:2019-11-2 17:16:13 点击量:412
内部

MAX5003在较宽的工作电压范围内可保持较低的功率损耗,输入电压可通过V+?ESVDo三个输入引脚接入?当输入电压较高时(36~110V),输入由V+端连接到内部场效应管的漏极进行预?此时,输入与[cit信阳变压器厂家yname]干式信阳干式变压器地(PGND)之间需接0.1pF的去耦电容,预器将输入电压降至足够低的电平,以满足第一级低压差器( VDD LDO)的要求, VDD LDo的输入端由ES引出,ES端应再加0.1pF的去耦电容?

当最大输入电压低于36V时,将ES引脚与V+引脚相连并接0.1pF的去耦电容? VDD LDO的输出端为VD0,输出电压的典型值为9.75V,用来为欠压锁存和 Vce LDo供电,VDo与AGND间加5~10F的去耦电容?当最大输入电压低于18.75V时,输入电压可接在VD端,在这种情况下,V作为信阳干式变压器输入端与V+?ES连接在一起?如果加在VDo的电压高于10.75V,则第一级LDO不工作,电流损耗只有50A?

因为VD电压对于外部N沟道 MOSFET过高,所以在 VoD LDO之后采用了第二级,包括: Vce lDo?信阳干式变压器总线内部逻辑和模拟和外部功率 MOSFET驱动器?Voc

DO带有锁存输出,当 Vcc lDo不工作时,可将N沟道 MOSFET驱动器的输出端与地短路?Vcc lDo的输出电压为7.4~12V,该电压除欠压检测?Vc锁存输出逻辑和线性信阳干式变压器外,为MAX5003内部的所有供电

MAX5003驱动器输出用于驱动N沟道 MOSFET,输出端灌出?吸入相当大的电流以满足 MOSFET切换时栅极电荷量的需要?该电流等效于栅极电荷量与工作频率的乘积它决定了MAX5003的降压功耗,Voc端应接较大的储能电容(5~10pF)?驱动器可灌出560mA?吸入1A瞬态电流,源阻抗典型值为4Q,空载输出电平为Vc?

带隙基准源提供3V的基准电压,引出脚为REF,输出电流可达1mA?当VRp低于标称 值200mV时,锁存输出 REFOK将关断振荡器和输出驱动?由于Vw为误差放大器提供基准,Vs的变化将直接影响电压的稳定输出,因此应尽量减小REF端的负载


(2)欠压检测和关断控制


当 INDIV端的电压低于1.2V时,欠压检测器(滞回电压为120mV)产生一欠压锁存信号,用于关闭控制器;当INDV端的电压高于1.2V+0.12V(滞回)=1.32V时,控制器重新开启?

INDIV端的信号由连接在信阳干式变压器与AGND端的信阳干式变压器分压器(R1?R2)提供,该信号也可作为快输入前馈的信号?利用欠压检测功能,可将 INDIV引脚作为关断控制端,通过外接一个对地的即可实现关断控制?


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